[发明专利]一种具备全角反射镜的发光二极管芯片的制备方法

摘要

本发明公开了一种具备全角反射镜的发光二极管芯片的制备方法，属于半导体技术领域。所述制备方法包括：提供一外延片；在外延片的正面形成划片道；在外延片上制备电流阻挡层、电流扩展层和电极，并减薄外延片；在外延片的背面蒸镀ODR；从外延片的正面沿着划片道进行激光划片；对外延片进行裂片加工，得到LED芯片；其中，在外延片的正面形成划片道，包括：在外延片的正面的第一区域覆盖光刻胶；在外延片的正面的第二区域和光刻胶上蒸镀金层；在金层内形成通孔；沿着金层内的通孔形成外延层内的划片道；沿着外延层内的划片道形成PSS层内的划片道；去除金层。本发明解决了LED芯片报废，为制造商带来成本损失的问题。

主权项

一种具备全角反射镜ODR的发光二极管LED芯片的制备方法，所述方法包括：提供一外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次形成在所述蓝宝石衬底上的图形化蓝宝石衬底PSS层、外延层，所述外延层包括依次层叠在所述PSS层上的N型层、有源层和P型层，所述外延层上开设有从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽；在所述外延片的正面形成划片道，所述外延片的正面为所述外延片的与所述蓝宝石衬底相反的一侧的表面，所述划片道的深度等于所述划片道处的所述外延层的厚度与所述PSS层的厚度之和；在所述外延片上制备电流阻挡层、电流扩展层和电极，并减薄所述外延片；在所述外延片的背面蒸镀ODR，所述外延片的背面为所述蓝宝石衬底未生长所述PSS层的表面；从所述外延片的正面沿着所述划片道进行激光划片；对所述外延片进行裂片加工，得到LED芯片；其特征在于，所述在所述外延片的正面形成划片道，包括：在所述外延片的正面的第一区域覆盖光刻胶，所述第一区域为形成划片道的区域；采用电子束蒸发，在所述外延片的正面的第二区域和所述光刻胶上蒸镀金层，所述第二区域为所述外延片的正面中除所述第一区域之外的区域；采用剥离技术，在所述金层内形成通孔；采用等离子体刻蚀，沿着所述金层内的通孔形成所述外延层内的划片道；沿着所述外延层内的划片道形成所述PSS层内的划片道；采用湿法腐蚀，去除所述金层。