[发明专利]一次可编程存储器单元及存储器单元阵列有效
| 申请号： | 201510030733.4 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105869678B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 朴圣根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种反熔丝型OTP存储器单元包括：具有第一编程区和第一选择区的第一有源区，所述第一编程区具有第一宽度，所述第一选择区具有大于所述第一宽度的第二宽度；与所述第一有源区间隔开并且具有第二编程区和第二选择区的第二有源区，所述第二编程区具有第三宽度，所述第二选择区具有大于所述第三宽度的第四宽度；与第一编程区域区和第二编程区域区相交的编程栅极；与第一选择区相交的第一选择栅极；与第二选择区域区相交的第二选择栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 一次 可编程 存储器 单元 阵列 | ||
【主权项】：
一种反熔丝型一次可编程(OTP)存储器单元，包括：具有第一编程区和第一选择区的第一有源区，所述第一编程区具有第一宽度，所述第一选择区具有大于所述第一宽度的第二宽度；与所述第一有源区间隔开并且具有第二编程区和第二选择区的第二有源区，所述第二编程区具有第三宽度，所述第二选择区具有大于所述第三宽度的第四宽度；编程栅极，其与所述第一编程区和所述第二编程区相交；第一选择栅极，其与所述第一选择区相交；以及第二选择栅极，其与所述第二选择区相交。
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