[发明专利]封装结构及其制法在审

专利信息
申请号: 201510027102.7 申请日: 2015-01-20
公开(公告)号: CN105870023A 公开(公告)日: 2016-08-17
发明(设计)人: 刘亦玮;陈彦亨;叶懋华;刘鸿汶;赖顗喆 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种封装结构及其制法,先提供具有金属层的第一承载件,再形成介电层于该金属层上,并于该介电层中形成凸出该介电层表面的多个导电柱,以及于该介电层表面上设置电子元件,之后再形成包覆层于该介电层上以包覆该多个导电柱、介电层及电子元件,最后移除部份该包覆层及该第一承载件,以令该导电柱的二端外露于该包覆层及该介电层,藉以省略现有制作导电柱时所需进行的开孔制程,以降低制作成本。
搜索关键词: 封装 结构 及其 制法
【主权项】:
一种封装结构的制法,其特征为,该制法包括:提供具有金属层的第一承载件;于该金属层上形成图案化的介电层,并于该介电层形成具有多个外露该金属层的开口;于该多个开口中形成多个具有相对的第一端及第二端的导电柱,其中,各该多个导电柱以其第一端电性连接该金属层,且各该多个导电柱的第二端凸出于该介电层的表面;设置至少一第一电子元件于该介电层上;形成包覆层于该介电层上,以令该包覆层包覆该多个导电柱、该第一电子元件及该介电层;移除部份该包覆层,以外露各该多个导电柱的第二端;以及移除该第一承载件。
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