[发明专利]封装结构及其制法在审
申请号: | 201510027102.7 | 申请日: | 2015-01-20 |
公开(公告)号: | CN105870023A | 公开(公告)日: | 2016-08-17 |
发明(设计)人: | 刘亦玮;陈彦亨;叶懋华;刘鸿汶;赖顗喆 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种封装结构及其制法,先提供具有金属层的第一承载件,再形成介电层于该金属层上,并于该介电层中形成凸出该介电层表面的多个导电柱,以及于该介电层表面上设置电子元件,之后再形成包覆层于该介电层上以包覆该多个导电柱、介电层及电子元件,最后移除部份该包覆层及该第一承载件,以令该导电柱的二端外露于该包覆层及该介电层,藉以省略现有制作导电柱时所需进行的开孔制程,以降低制作成本。 | ||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制法 | ||
【主权项】:
一种封装结构的制法,其特征为,该制法包括:提供具有金属层的第一承载件;于该金属层上形成图案化的介电层,并于该介电层形成具有多个外露该金属层的开口;于该多个开口中形成多个具有相对的第一端及第二端的导电柱,其中,各该多个导电柱以其第一端电性连接该金属层,且各该多个导电柱的第二端凸出于该介电层的表面;设置至少一第一电子元件于该介电层上;形成包覆层于该介电层上,以令该包覆层包覆该多个导电柱、该第一电子元件及该介电层;移除部份该包覆层,以外露各该多个导电柱的第二端;以及移除该第一承载件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司,未经矽品精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510027102.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自动贴脚垫系统
- 下一篇:一种可快速连接的型钢构件连接模块
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造