[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201510024420.8 | 申请日： | 2015-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN105845665B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 宋春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有集成电路，以及围绕所述集成电路的保护环结构，其中，所述保护环结构包括层叠的若干金属层和通孔，在相邻金属层之间还形成有层间介电层；在所述保护环结构的上方形成具有开口的第一钝化层，所述开口暴露部分所述保护环结构的顶部金属层；形成填充所述开口并覆盖部分所述第一钝化层表面的保护金属层；在所述保护金属层和所述第一钝化层暴露的表面上形成第二钝化层；在所述第二钝化层内形成若干孔洞；采用有机化合物填充所述孔洞。根据本发明的方法，有效释放金属焊线对第二钝化层的额外应力作用，不会产生金属焊线与保护金属层桥接短路的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有集成电路，以及围绕所述集成电路的保护环结构，其中，所述保护环结构包括层叠的若干金属层和通孔，在相邻金属层之间还形成有层间介电层；在所述保护环结构的上方形成具有开口的第一钝化层，所述开口暴露部分所述保护环结构的顶部金属层；形成填充所述开口并覆盖部分所述第一钝化层表面的保护金属层；在所述保护金属层和所述第一钝化层暴露的表面上形成第二钝化层；在所述第二钝化层内形成若干孔洞；采用有机化合物填充所述孔洞。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510024420.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
