[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201510021532.8 | 申请日： | 2015-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105845547A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 梁海慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：选用NMP对半导体器件进行清洗，以去除所述半导体器件在蚀刻过程中形成的残留物；步骤S2：选用含有O3的去离子水对所述半导体器件进行清洗，以去除所述步骤S1中残留的NMP微粒。本发明为了解决现有技术中存在的问题，选用NMP对半导体器件(例如NMOS中虚拟开口的侧壁)进行清洗之后，进一步选用含有O3的去离子水对所述半导体器件进行清洗，以代替现有技术中去离子水的清洗，通过所述方法不仅能够去除所述半导体器件在蚀刻过程中残留的聚合物，而且还能去除在NMP清洗过程中NMP微粒的残留，使半导体器件具有更好的轮廓，提高了所述半导体器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：选用NMP对半导体器件进行清洗，以去除所述半导体器件在蚀刻过程中形成的残留物；步骤S2：选用含有O3的去离子水对所述半导体器件进行清洗，以去除所述步骤S1中残留的NMP微粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
