[发明专利]一种石墨烯/碲化镉太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201510021250.8 | 申请日： | 2015-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN104600147A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 林时胜;李晓强;陈红胜;王朋;章盛娇;徐志娟;吴志乾;钟汇凯 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/074 | 分类号： | H01L31/074;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯/碲化镉太阳电池及其制备方法，该石墨烯/碲化镉太阳电池由衬底材料、石墨烯、碲化镉以及电极构成。光生载流子主要在碲化镉层中产生，石墨烯层与碲化镉层构成的肖特基结收集光生载流子。本发明的太阳电池利用低成本的碲化镉作为光吸收材料，工艺简单，并可以制作成为柔性电池和双面电池，扩大应用领域及提高实际发电量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 碲化镉 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯/碲化镉太阳电池，其特征在于自下而上依次有衬底（1）、导电镀膜层（2）、碲化镉层（3）和石墨烯层（4），所述太阳电池还设有第一电极（5）和第二电极（6），第一电极（5）设置在导电镀膜层（2）上，第二电极（6）设置在石墨烯层（4）上；或者自下而上依次有衬底（1）、石墨烯层（4）和碲化镉层（3），还设有第一电极（5）和第二电极（6），第一电极（5）设置在碲化镉层（3）上，第二电极（6）设置在石墨烯层（4）上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学;，未经浙江大学;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510021250.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
