[发明专利]一种防止铜氧化扩散的方法有效
| 申请号： | 201510016588.4 | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105845618B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种防止铜氧化扩散的方法，所述方法包括步骤：首先，提供半导体器件，所述半导体器件至少包括衬底和制作在所述衬底表面的铜金属层，清洗所述半导体器件的表面；然后在所述半导体器件表面滴加丙酮，并在丙酮表面平铺多晶硅黏附胶，通过所述丙酮将多晶硅黏附胶与铜金属层紧贴，使铜金属层与大气隔绝，防止铜氧化扩散。本发明通过丙酮可以将多晶硅黏附胶紧密黏贴于铜金属层表面，有效防止铜发生氧化扩散，从而在工艺过程中不用考虑Q‑time的影响，保证机台和人力的高效利用。该方法不会引入杂质，无污染，并且操作简单方便，适用于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 氧化 扩散 方法 | ||
【主权项】：
1.一种防止铜氧化扩散的方法，其特征在于，所述方法至少包括步骤：1)提供半导体器件，所述半导体器件至少包括衬底和制作在所述衬底表面的铜金属层，清洗所述半导体器件的表面，清洗过程为：先进行去离子水冲洗，然后采用去离子水进行超声波振荡1～2分钟，最后用氮气枪将半导体器件表面吹干；2)在所述半导体器件表面滴加丙酮，并在丙酮表面平铺多晶硅黏附胶，通过所述丙酮将多晶硅黏附胶与铜金属层紧贴，使铜金属层与大气隔绝，防止铜氧化扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
