[发明专利]高迁移率氧化锌纳米棒薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201510016377.0 | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105845722A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州复纳电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/16 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 215501 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高迁移率氧化锌纳米棒薄膜晶体管，其特征在于，包括：由下到上依次设置的衬底、底栅电极、高k栅介质层、石墨烯、氧化锌籽晶层、氧化锌纳米棒和源漏电极。本发明还提供一种高迁移率氧化锌纳米棒薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、清洗衬底；步骤二、在衬底上制作底栅电极；步骤三、在底栅电极上沉积栅介质；步骤四、制备石墨烯；步骤五、将石墨烯转移到栅介质上；步骤六、在石墨烯上沉积氧化锌籽晶层；步骤七、在氧化锌籽晶层上进行氧化锌纳米棒生长；步骤八、在氧化锌纳米棒的顶端制作源漏电极。本发明的高迁移率氧化锌纳米棒薄膜晶体管具有高迁移率的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 迁移率 氧化锌 纳米 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高迁移率氧化锌纳米棒薄膜晶体管，其特征在于，包括：由下到上依次设置的衬底、底栅电极、高k栅介质层、石墨烯、氧化锌籽晶层、氧化锌纳米棒和源漏电极。
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