[发明专利]双极半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510016037.8 | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104779278B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | J.鲍尔;G.施密特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 申屠伟进,胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及双极半导体器件及其制造方法。一种功率半导体器件具有半导体基体，该半导体基体具有第一表面和与第一表面基本上平行伸延的第二表面。第一金属化被布置在第一表面上。第二金属化被布置在第二表面上。半导体基体包含n掺杂第一半导体区域，与第一金属化间隔开并且具有第一最大掺杂浓度；n掺杂第二半导体区域，具有比第一最大掺杂浓度更高的第二最大掺杂浓度并且邻近该第一半导体区域；和第三半导体区域，与第二金属化欧姆接触，被布置在第二金属化与第二半导体区域之间，并且邻近该第二半导体区域。第二半导体区域由包含作为施主的电活性硫族元素杂质的半导体材料制成。至少90％的电活性硫族元素杂质在半导体材料中形成孤立缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，包括：半导体基体，具有第一表面和与所述第一表面平行伸延的第二表面；第一金属化，被布置在所述第一表面上；以及第二金属化，被布置在所述第二表面上，其中所述半导体基体包括：n掺杂第一半导体区域，与所述第一金属化间隔开并且具有第一最大掺杂浓度；n掺杂第二半导体区域，具有比第一最大掺杂浓度更高的第二最大掺杂浓度并且邻近所述第一半导体区域，其中所述第二半导体区域由包括作为施主的电活性硫族元素杂质的半导体材料组成，并且其中至少90％的所述电活性硫族元素杂质在所述半导体材料中形成孤立缺陷；以及第三半导体区域，与所述第二金属化欧姆接触，被布置在所述第二金属化与所述第二半导体区域之间，并且邻近所述第二半导体区域。
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