[发明专利]晶圆键合方法以及晶圆键合结构在审
申请号: | 201510011875.6 | 申请日: | 2015-01-09 |
公开(公告)号: | CN105826243A | 公开(公告)日: | 2016-08-03 |
发明(设计)人: | 施林波;陈福成;刘尧;徐伟 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构,所述晶圆键合方法包括:提供第一晶圆和第二晶圆;在第一晶圆、第二晶圆的第一金属垫、第二金属垫中的一个或两个上,形成共晶连接结构;对第一晶圆、第二晶圆进行键合工艺,使第一金属垫、第二金属垫分别与共晶连接结构发生共晶反应。采用共晶反应的键合工艺,第一金属垫和第二金属垫相互连接的效果更好。在键合工艺对第一金属垫和第二金属垫表面平整度要求不高,无需进行平坦化工艺,降低了晶圆边缘位置处的第一金属垫和第二金属垫产生接触不良的风险。共晶反应无需高温退火,对晶圆中半导体器件的影响较小。 | ||
搜索关键词: | 晶圆键合 方法 以及 结构 | ||
【主权项】:
一种晶圆键合方法,其特征在于,包括:提供第一晶圆和第二晶圆,所述第一晶圆上形成有第一金属垫,所述第二晶圆上形成有第二金属垫;在所述第一金属垫、第二金属垫中的任意一个或两个上形成共晶连接结构;将第一晶圆、第二晶圆相对设置,使所述第一金属垫和第二金属垫相互对准;所述第一金属垫、第二金属垫分别与共晶连接结构发生共晶反应,以实现第一晶圆和第二晶圆的键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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