[发明专利]场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510011790.8 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104599968B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/772 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种场效应晶体管及其制备方法，包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成第一栅极叠层结构，在第一栅极叠层结构两侧形成第一侧墙；在所述第一侧墙外侧的半导体衬底上形成凹陷结构；在凹陷结构内形成绝缘介质层；进行原位掺杂，在所述绝缘介质层上方形成源漏结构；在所述源漏结构外侧的半导体衬底上形成隔离结构；通过采用后隔离工艺，使得在源漏区原位掺杂外延时以源漏区以外的半导体衬底为外延籽晶层，大大提高了外延的质量和速度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一栅极叠层结构，在所述第一栅极叠层结构两侧形成第一侧墙；在所述第一侧墙外侧的部分所述半导体衬底上形成凹陷结构，在所述凹陷结构内形成绝缘介质层；进行原位掺杂外延，在所述绝缘介质层上方形成源漏结构，所述原位掺杂外延以所述凹陷结构外侧的所述半导体衬底作为籽晶层；以及在所述源漏结构外侧的半导体衬底上形成隔离结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中航（重庆）微电子有限公司，未经中航（重庆）微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510011790.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
