[发明专利]一步完成扩散、表面钝化和减反射的太阳电池制备方法在审
申请号: | 201510011057.6 | 申请日: | 2015-01-10 |
公开(公告)号: | CN104505439A | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 王亮兴;陆明 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人: | 陆飞,盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明属于太阳能光伏电池技术领域,具体为一种一步完成扩散、表面钝化和减反射的太阳电池制备方法。具体步骤包括半导体片表面旋涂或喷涂扩散源,或者采用气态源;半导体片在空气中加热,同时形成p-n结、上下表面钝化层和减反射膜;制备上下电极。本发明在保证电池较高转化效率的同时,极大地简化了太阳电池的制备工艺,并且对设备要求低、制备过程安全无毒,是一种过程简单、成本低廉的太阳电池制备方法。 | ||
搜索关键词: | 一步 完成 扩散 表面 钝化 反射 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
?一步完成扩散、表面钝化和减反射的太阳电池制备方法,其特征在于具体步骤为:(1)半导体片表面旋涂或喷涂扩散源;所述扩散源为磷或硼的液态源;(2)半导体片在空气或氧气中加热,温度为600℃?1000℃,时间为5min?120min,同时形成p?n结、上下表面钝化层和减反射膜;(3)制备上下电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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