[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201510009275.6 | 申请日： | 2015-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN105826365A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 赵海;陈正领 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干相互间隔的鳍片；步骤S2：在所述鳍片的表面上形成牺牲层，以覆盖所述鳍片；步骤S3：选用原位水气生成的方法在所述牺牲层的表面形成氧化物层，同时执行原位水气生成氧化工艺，以将所述牺牲层转化为氧化物，在所述鳍片的表面上形成栅极氧化物。本发明的优点在于：(1)选用原子层沉积或者分子层沉积方法形成牺牲层，避免了鳍片的消耗和损失。(2)选用原子层沉积或者分子层沉积方法具有良好的共形性。(3)所述ISSG氧化发生在较薄的牺牲层SiN上，最终将所述SiN转化为SiO2，而不会发生鳍片的氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干相互间隔的鳍片；步骤S2：在所述鳍片的表面上形成牺牲层，以覆盖所述鳍片；步骤S3：选用原位水气生成的方法在所述牺牲层的表面形成氧化物层，同时执行原位水气生成氧化工艺，以将所述牺牲层转化为氧化物，在所述鳍片的表面上形成栅极氧化物。
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