[发明专利]采用具有磁约束的等离子体源的基于等离子体的材料改性在审
| 申请号: | 201510006559.X | 申请日: | 2015-01-07 |
| 公开(公告)号: | CN104900470A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
| 发明(设计)人: | W·德维尔吉欧;S·萨瓦斯;S·费尔奇;盛天予;陈皞 | 申请(专利权)人: | 汉辰科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 | 代理人: | 郑洪成 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 一种用于工件的材料改性的基于等离子体的材料改性系统可包括耦接至工艺腔的等离子体源腔。被配置成支撑工件的支撑结构可布置在工艺腔内。等离子体源腔可包第一多个磁体、第二多个磁体和第三多个磁体,第三多个磁体围绕等离子体源腔内的等离子体产生区域。等离子体源腔可被配置成在等离子体产生区域内产生具有离子的等离子体。第三多个磁体可被配置成限制等离子体产生区域内能量大于10eV的等离子体的大多数电子同时允许来自等离子体的离子穿过第三多个磁体而进入处理腔以用于工件的材料改性。 | ||
| 搜索关键词: | 采用 具有 约束 等离子体 基于 材料 改性 | ||
【主权项】:
一种基于等离子体的材料改性系统,用于利用离子处理工件,所述基于等离子体的材料改性系统包括:工艺腔;布置在工艺腔内的支撑结构,支撑结构被配置成支撑工件;以及耦接至工艺腔的等离子体源腔,等离子体源腔包括:端壁,布置在等离子体源腔的第一端;至少一个侧壁,定义了等离子体源腔的第一端与第二端之间的腔体内部,第二端与第一端相对;第一多个磁体,布置在端壁上;第二多个磁体,布置在至少一个侧壁上并围绕腔体内部;以及第三多个磁体,延伸穿过腔体内部,其中端壁、至少一个侧壁、和第三多个磁体定义了腔体内部内的等离子体产生区域,其中等离子体源腔被配置成在等离子体产生区域内产生具有离子的等离子体,而且其中第三多个磁体被配置成限制等离子体产生区域内能量大于10eV的等离子体的大多数电子同时允许来自等离子体的离子穿过第三多个磁体而进入处理腔以用于工件的材料改性。
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