[发明专利]P型鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201510006082.5 | 申请日： | 2015-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105826374B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 李勇;居建华;陈林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种P型鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，P型鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极结构；从鳍部顶部降低所述栅极结构两侧鳍部的高度；在剩余的所述鳍部表面形成掺杂有源漏离子的第一半导体材料层；在所述第一半导体材料层上形成掺杂有势垒降低离子的第二半导体材料层；在所述第二半导体材料层上形成金属层；对所述金属层进行退火处理，形成接触电阻减小层。采用本发明的方法形成的P型鳍式场效应晶体管降低了后续形成的P型鳍式场效应晶体管的源极和漏极上的寄生电阻，提高了后续形成的P型鳍式场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 型鳍式 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种P型鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极结构；从鳍部顶部降低所述栅极结构两侧鳍部的高度；在剩余的所述鳍部表面形成掺杂有源漏离子的第一半导体材料层；在所述第一半导体材料层上形成掺杂有势垒降低离子的第二半导体材料层；在所述第二半导体材料层上形成金属层；对所述金属层进行退火处理，形成接触电阻减小层。
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