[发明专利]背照式图像传感器的制备方法在审
| 申请号: | 201510003933.0 | 申请日: | 2015-01-05 |
| 公开(公告)号: | CN104616997A | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
| 发明(设计)人: | 胡思平;胡胜;董金文 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种背照式图像传感器的制备方法,通过对键合晶圆进行刻蚀形成互连孔,并填充金属形成金属引线,同时在键合晶圆的背面同步制备金属隔离栅和与金属引线接触的Pad层,再将彩色滤光片填埋于该金属隔离栅中;该技术方案可将键合晶圆中的金属层导出并与Pad相整合,一定程度上实现了制备工艺的简单化、低成本的要求,同时于Pad同步制备的金属隔离栅为后续的彩色滤光片提供良好的填埋环境,实现光路的最小化,很大程度上提高了背照式图像传感器的光电特性和输出质量。 | ||
| 搜索关键词: | 背照式 图像传感器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种背照式图像传感器的制备方法,其特征在于,所述方法包括:步骤S1、提供一背面具有感光区域的键合晶圆,所述键合晶圆包括第一晶圆和位于所述第一晶圆之上的第二晶圆,所述第一晶圆中设置有一底部金属层;步骤S2、刻蚀位于所述底部金属层之上的所述键合晶圆,以形成将所述底部金属层上表面予以暴露的互连孔;步骤S3、于所述互连孔中填充金属,以形成将所述底部金属层与所述键合晶圆的外部结构予以电连接的金属引线;步骤S4、在所述键合晶圆的部分背面同步制备Pad层和若干等距间隔的金属隔离栅,所述Pad层与所述金属引线形成接触,所述金属隔离栅位于所述键合晶圆的感光区域之上;步骤S5、于相邻的金属隔离栅之间填埋彩色滤光片,以形成所述背照式图像传感器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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