[发明专利]用于形成堆栈金属接点与半导体晶圆内铝线电连通的方法有效
| 申请号： | 201510002890.4 | 申请日： | 2015-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN105826206B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 林继周;和正平 | 申请（专利权）人： | 旭景科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台湾新北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于形成堆栈金属接点与半导体晶圆内铝线电连通的方法，该方法包含以下步骤：形成至少一钝化层于该集成电路的半导体晶圆的一表面上，并将一铝线嵌入于该半导体晶圆上；经由该钝化层形成一图案化接点穿孔开口，以露出该铝线；通过化学蚀刻从该图案化接点穿孔开口移除一部分铝线，并同时形成一薄锌膜于一蚀刻的表面上；形成一镍膜堆栈层于该锌膜上；及通过化学电镀或金属电镀，形成一金属堆栈层于该图案化接点穿孔开口中及/或至少一部分该钝化层上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 堆栈 金属 接点 半导体 晶圆内铝线电 连通 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成堆栈金属接点与半导体晶圆内铝线电连通的方法，其特征在于，包含以下步骤：A.形成至少一钝化层于该集成电路的半导体晶圆的一表面上，并将一铝线嵌入于该半导体晶圆上；B.经由该钝化层形成一图案化接点穿孔开口，以露出该铝线；C.通过化学蚀刻从该图案化接点穿孔开口移除一部分铝线，并同时形成一薄锌膜于一蚀刻的表面上；D.形成一镍膜堆栈层于该薄锌膜上；及E.通过化学电镀或金属电镀，形成一金属堆栈层于该图案化接点穿孔开口中及/或至少一部分该钝化层上，其中该半导体晶圆具有一阻障层在该铝线下；其中该化学蚀刻将剩余钝化层与阻障层间的一部分铝线蚀刻掉；及其中该铝线蚀刻侧截面上一边缘点到该图案化接点穿孔开口最近的一点的距离小于该图案化接点穿孔开口的同一点到该铝线周边最近的一点间的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
