[发明专利]降低以及调节薄膜表面能的方法有效
| 申请号： | 201510002704.7 | 申请日： | 2015-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN104538286B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 方嵩;梁富堂;燕健硕 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/316;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种降低以及调节薄膜表面能的方法，通过在一具有介电层的半导体衬底上沉积一层SRO薄膜，并对其进行等离子处理后进行光阻的涂覆；在通过水接触角测试法建立SRO薄膜的折射率与表面能的关系来调节SRO薄膜折射率进而调整表面能，使其保证SRO薄膜原有特性不变的前提下降低其表面能以增加SRO薄膜与光阻之间的粘附性，避免发生光阻翘曲和脱落，并通过对沉积反应参数的调整进而实现不同工艺对不同表面能的需求，且在一定程度上该技术方案也极大的提高了产品的生产质量和生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 表面能 薄膜 光阻 薄膜表面 沉积 半导体制造技术 薄膜折射率 等离子处理 反应参数 生产效率 水接触角 测试法 介电层 粘附性 折射率 衬底 翘曲 涂覆 半导体 保证 生产 | ||
【主权项】：
1.一种调节薄膜表面能的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1、提供一半导体衬底，所述半导体衬底的上表面覆盖一层介电层；步骤S2、于所述介电层的上表面沉积具有第一折射率的富硅氧化物薄膜，之后对所述富硅氧化物薄膜进行等离子处理；步骤S3、采用水接触角测试法获取所述富硅氧化物薄膜上与所述第一折射率对应的第一接触角；步骤S4、多次依次重复步骤S1～S3，以获取若干富硅氧化物薄膜的折射率及每个折射率所对应的接触角；步骤S5、统计每个折射率以及该折射率所对应的接触角，以建立所述富硅氧化物薄膜的折射率与表面能的相关关系；其中，通过所述相关关系来调节所述富硅氧化物薄膜折射率进而调整富硅氧化物薄膜的表面能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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