[发明专利]电阻式存储器单元及电阻式存储器单元的前体、制造其的方法和包括其的器件有效

专利信息
申请号: 201480083609.8 申请日: 2014-12-24
公开(公告)号: CN107004761B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: N·慕克吉;R·皮拉里塞泰;P·马吉;U·沙阿;R·E·阿奇;M·库恩;J·S·布罗克曼;H·刘;E·V·卡尔波夫;K·奥乌兹;B·S·多伊尔;R·S·周 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/12
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 邬少俊;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 描述了电阻式存储器单元、其前体以及制造电阻式存储器单元的方法。在一些实施例中,电阻式存储器单元由包括切换层前体的电阻式存储器前体形成,切换层前体包含以受控分布存在于其中的多个氧空位,可选地不使用氧交换层。在这些或其它实施例中,所述的电阻式存储器前体可以包括形成在切换层前体上的第二电极,其中第二电极包括导电的但与氧基本上不发生反应的第二电极材料。还描述了包括电阻式存储器单元的器件。
搜索关键词: 电阻 存储器 单元 制造 方法 包括 器件
【主权项】:
一种电阻式存储器单元前体,包括:第一电极,所述第一电极包括第一电极材料;所述第一电极上的切换层前体,所述切换层前体具有相对的第一表面和第二表面;以及所述切换层前体上的第二电极,所述第二电极包括第二电极材料;其中所述切换层前体包括亚化学计量氧化物和多个氧空位,在不使用氧交换层的情况下所述氧空位以受控分布存在于大约所述第一表面与所述第二表面之间;并且其中所述切换层前体被配置成使得响应于形成电压的施加,所述切换层前体转换为切换层,其中所述多个氧空位的至少一部分形成在所述第一电极与所述第二电极之间提供低阻路径的至少一个丝状体。
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