[发明专利]具有减少缺陷的Ⅲ族-氮化物层的集成电路管芯以及与其相关联的方法

摘要

本公开内容的实施例涉及集成电路(IC)管芯。在实施例中，一种IC管芯可以包括半导体衬底，设置在半导体衬底之上的Ⅲ族‑氮化物或Ⅱ‑Ⅵ族纤维锌矿层，以及至少部分地嵌入在所述Ⅲ族‑氮化物或Ⅱ‑Ⅵ族纤维锌矿层中的多个缓冲结构。在一些实施例中，所述多个缓冲结构中的每个缓冲结构可以包括设置在半导体衬底之上的中心构件，设置在所述半导体衬底之上并远离中心构件横向延伸的下横向构件，以及设置在中心构件之上并从中心构件沿与下横向构件延伸的相反方向横向延伸的上横向构件。多个缓冲结构以交错布置进行定位以终止Ⅲ族‑氮化物或Ⅱ‑Ⅵ族纤维锌矿层的缺陷。可以描述和/或要求保护其它实施例。

主权项

一种集成电路(IC)管芯，包括：半导体衬底；Ⅲ族‑氮化物或Ⅱ‑Ⅵ族纤维锌矿层，所述Ⅲ族‑氮化物或Ⅱ‑Ⅵ族纤维锌矿层设置在所述半导体衬底之上；以及多个缓冲结构，所述多个缓冲结构至少部分地嵌入在所述Ⅲ族‑氮化物或Ⅱ‑Ⅵ族纤维锌矿层中，其中，所述多个缓冲结构中的每个缓冲结构包括：中心构件，其设置在所述半导体衬底之上；下横向构件，其设置在所述半导体衬底之上、与所述中心构件相邻并沿第一方向远离所述中心构件延伸；以及上横向构件，其设置在所述中心构件之上并沿与所述第一方向相反的至少第二方向从所述中心构件横向延伸。