[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201480083226.0 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN107078158B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 谷冈寿一;樽井阳一郎;古桥壮之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 碳化硅半导体装置(200)能够通过由栅极电压的施加来实现的沟道区域的控制而对导通状态及截止状态进行切换。碳化硅半导体装置(200)具有碳化硅层(20)、栅极绝缘膜(50)和栅极电极(60)。碳化硅层(20)具有沟道区域(CH)。栅极绝缘膜(50)将沟道区域(CH)覆盖。栅极电极(60)隔着栅极绝缘膜(50)而与沟道区域(CH)相对。导通状态下的沟道区域(CH)的电阻在大于或等于100℃而小于或等于150℃的温度具有最小值。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置(200)，其能够通过由栅极电压的施加来实现的沟道区域(CH)的控制而对导通状态及截止状态进行切换，该碳化硅半导体装置具有：碳化硅层(20)，其具有所述沟道区域(CH)；栅极绝缘膜(50)，其将所述碳化硅层(20)的所述沟道区域(CH)覆盖；以及栅极电极(60)，其隔着所述栅极绝缘膜(50)而与所述碳化硅层(20)的所述沟道区域(CH)相对，所述导通状态下的所述沟道区域(CH)的电阻在大于或等于100℃而小于或等于150℃的温度具有最小值。
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