[发明专利]用于硅CMOS相容半导体器件中的缺陷扩展控制的具有倾斜侧壁刻面的纤锌矿异质外延结构有效
| 申请号： | 201480081257.2 | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN106575670B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | S·达斯古普塔;H·W·田;B·舒-金;M·拉多萨夫列维奇;S·K·加德纳;H·宋;R·皮拉里塞泰;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了包括具有倾斜侧壁刻面的升高的III‑N半导体结构的III‑N半导体异质结构。在实施例中，促成半极性倾斜侧壁刻面的横向外延过生长用于使晶体缺陷从竖直扩展弯曲到水平扩展。在实施例中，具有低缺陷密度表面的任意大的合并的III‑N半导体结构可以从暴露硅衬底的(100)表面的沟槽过生长。诸如III‑N晶体管的III‑N器件可以进一步形成在升高的III‑N半导体结构上，而基于硅的晶体管可以形成在硅衬底的其它区中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cmos 相容 半导体器件 中的 缺陷 扩展 控制 具有 倾斜 侧壁 锌矿 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体异质结构，包括：衬底半导体，其具有立方结晶度；升高的半导体结构，其具有纤锌矿结晶度，所述升高的半导体结构设置在沟槽材料层中的一个或多个沟槽中并与所述衬底半导体的表面相交；以及其中，所述升高的半导体结构具有一对倾斜侧壁刻面，所述一对倾斜侧壁刻面从所述升高的半导体结构的顶表面倾斜到与横向设置在沟槽的侧壁之外的所述沟槽材料层的界面。
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