[发明专利]具有使用穿硅过孔(TSV)的集成麦克风器件的管芯有效

专利信息
申请号: 201480081235.6 申请日: 2014-09-17
公开(公告)号: CN106716636B 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: K·J·李;R·萨拉斯沃特;U·齐尔曼;V·B·拉奥;T·伦-拉森;N·P·考利 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L21/60;B81B7/02
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开内容的实施例描述了具有使用穿硅过孔(TSV)和相关联的技术和构造的集成麦克风设备的管芯。在一个实施例中,一种装置包括具有第一侧和被设置为与第一侧相对的第二侧的半导体衬底,形成在半导体衬底的第一侧上的互连层,形成为穿过半导体衬底并且被配置为在半导体衬底的第一侧与半导体衬底的第二侧之间传送电信号的穿硅过孔(TSV),以及形成在半导体衬底的第二侧上并与TSV电气耦合的麦克风器件。可以描述和/或要求保护其它实施例。
搜索关键词: 具有 使用 tsv 集成 麦克风 器件 管芯
【主权项】:
一种装置,包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有第一侧和被设置为与所述第一侧相对的第二侧;互连层,所述互连层形成在所述半导体衬底的所述第一侧上;穿硅过孔(TSV),所述穿硅过孔(TSV)被形成为穿过所述半导体衬底并且被配置为在所述半导体衬底的所述第一侧与所述半导体衬底的所述第二侧之间传送电信号;以及麦克风器件,所述麦克风器件形成在所述半导体衬底的所述第二侧上并与所述TSV电气耦合。
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