[发明专利]多栅极高电子迁移率晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201480081066.6 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106575669B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | K·俊;S·达斯古普塔;A·X·利万德;P·莫罗 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种多栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)及其形成方法。多栅极HEMT包括衬底和在衬底的顶部上的粘附层。沟道层设置在粘附层的顶部上，并且第一栅极电极设置在沟道层的顶部上。第一栅极电极具有在第一栅极电极和沟道层之间的第一栅极电介质层。第二栅极电极嵌入在衬底内并在沟道层下面。第二栅极电极具有完全包围所述第二栅极电极的第二栅极电介质层。源极和漏极接触部对设置在所述第一栅极电极的相对侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底的顶部上的粘附层；在所述粘附层的顶部上的沟道层；在所述沟道层的顶部上的第一栅极电极，所述第一栅极电极具有在所述第一栅极电极和所述沟道层之间的第一栅极电介质层；在所述沟道层的下面的第二栅极电极，所述第二栅极电极具有完全围绕所述第二栅极电极的第二栅极电介质层；以及在所述第一电极的相对侧上的源极接触部和漏极接触部对。
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