[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201480080447.2 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN106537897B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 荒木康弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H01L27/146 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 陈伟;闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及在活性区域内具有两个光电转换元件的半导体器件，其目的在于，缩短将光电转换元件和第一晶体管连接的布线的长度，减小布线电容的值。在半导体衬底(SUB)上多个像素区域呈矩阵状排列，多个像素区域分别具有活性区域(AR)、两个光电转换元件(PD)、两个浮动电容区域(FD)和第一晶体管(AMI)。多个像素区域分别包括两个传输晶体管(TX)，两个传输晶体管(TX)分别具有两个光电转换元件(PD)的每一个和两个浮动电容区域(FD)的每一个。第一晶体管(AMI)在像素区域内，在两个浮动电容区域(FD)中的一个浮动电容区域(FD)与另一个浮动电容区域(FD)排列的方向上，配置在一个浮动电容区域(FD)与另一个浮动电容区域(FD)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，在半导体衬底上多个像素区域呈矩阵状排列，所述半导体器件的特征在于，/n所述多个像素区域分别具有：/n活性区域，其形成于所述半导体衬底；/n两个光电转换元件，其在所述活性区域内彼此隔开间隔地配置；/n两个浮动电容区域，其能够与所述两个光电转换元件分别构成用于传输通过光电转换所得到的电子的传输晶体管，将从所述光电转换元件输出的电信号取出并进行积累；以及/n第一晶体管，其接收从所述传输晶体管输出的电信号，/n所述多个像素区域中分别包括两个所述传输晶体管，两个所述传输晶体管分别具有所述两个光电转换元件的每一个和所述两个浮动电容区域的每一个，/n所述第一晶体管在所述像素区域内，在两个所述浮动电容区域中的一个所述浮动电容区域与另一个所述浮动电容区域排列的方向上，配置在一个所述浮动电容区域与另一个所述浮动电容区域之间，/n所述两个光电转换元件配置在单一的所述活性区域内。/n
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