[发明专利]硅管芯上的互连件叠置体中的嵌入式存储器在审
| 申请号： | 201480078919.0 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106463406A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | D·W·纳尔逊;M·C·韦伯;P·莫罗;K·俊 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法包括：在包括多个电路器件的集成电路器件层的相对侧上形成多个第一互连件和多个第二互连件，其中，形成多个第一互连件和多个第二互连件中的互连件包括在所述互连件中嵌入存储器器件。一种装置，包括衬底，所述衬底包括位于集成电路器件层的相对侧上的多个第一互连件和多个第二互连件，所述集成电路器件层包括多个电路器件，其中，多个第一互连件和多个第二互连件中的互连件包括嵌入在所述互连件中的存储器器件。 | ||
| 搜索关键词： | 管芯 互连 件叠置体 中的 嵌入式 存储器 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在包括多个电路器件的集成电路器件层的相对侧上形成多个第一互连件和多个第二互连件，其中，形成所述多个第一互连件和多个第二互连件中的互连件包括在所述互连件中嵌入存储器器件；以及将所述存储器器件中的存储器器件耦合到所述多个第一互连件和所述多个第二互连件中的每个相应的互连件并且耦合到所述多个电路器件中的电路器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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