[发明专利]通过层转移在反向极化衬底上的高电子迁移率晶体管制造工艺有效
| 申请号： | 201480078732.0 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN106415846B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | K·俊;S·达斯古普塔;A·X·利万德;P·莫罗 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法包括：在牺牲衬底上的极性化合物半导体层上形成阻挡层；将牺牲衬底耦合到载体衬底以形成复合结构，其中，阻挡层布置在极性化合物半导体层与载体衬底之间；将牺牲衬底从复合结构分离以暴露出极性化合物半导体层；以及形成至少一个电路器件。一种装置包括：在衬底上的阻挡层；在阻挡层上的晶体管器件；以及布置在阻挡层与晶体管器件之间的极性化合物半导体层，极性化合物半导体层包括其中的二维电子气。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 转移 反向 极化 衬底 电子 迁移率 晶体管 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在牺牲衬底上的极性化合物半导体层上形成阻挡层；将所述牺牲衬底耦合到载体衬底以形成复合结构，其中，所述阻挡层布置在所述极性化合物半导体层与所述载体衬底之间；将所述牺牲衬底从所述复合结构分离以暴露出所述极性化合物半导体层；以及形成至少一个电路器件。
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