[发明专利]薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法及利用其的薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201480078016.2 | 申请日: | 2014-12-18 |
公开(公告)号: | CN106233470B | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 赵雅罗;尹庆勋;安世镇;尹载浩;郭智惠;申基植;鱼英柱;安承奎;赵俊植;柳镇洙;朴柱炯;金起焕 | 申请(专利权)人: | 韩国能源研究技术研究所 |
主分类号: | H01L31/0749 | 分类号: | H01L31/0749;H01L31/054;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 张云志;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法,上述太阳能电池透明电极的制备方法包括:Ib族元素‑VIa族元素二元体系纳米粒子制备步骤(s100);向上述Ib族元素‑VIa族元素二元体系纳米粒子添加包含溶剂和粘结剂及Va族元素的溶液前体来制备Ib族元素‑VIa族元素的二元体系纳米粒子浆料的步骤(s200);上述Ib族元素‑VIa族元素的二元体系纳米粒子浆料的分散及混合步骤(s300);在上述后部面电极层涂敷上述Ib族元素‑VIa族元素的二元体系纳米粒子浆料的步骤(s400);以及向上述涂敷的纳米粒子浆料供给VIa族元素并进行热处理的步骤(s500)。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 光吸收 制备 方法 利用 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法,上述薄膜太阳能电池包括:基板;后部面电极层,形成于上述基板;光吸收层,形成于上述后部面电极层;缓冲层,形成于上述光吸收层;以及透明电极层,形成于上述缓冲层,上述薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法的特征在于,包括:i)Ib族元素‑VIa族元素二元体系纳米粒子制备步骤;ii)向上述Ib族元素‑VIa族元素二元体系纳米粒子添加包含溶剂和粘结剂及Va族元素的溶液前体来制备Ib族元素‑VIa族元素的二元体系纳米粒子浆料的步骤;iii)上述Ib族元素‑VIa族元素的二元体系纳米粒子浆料的分散及混合步骤;iv)在上述后部面电极层涂敷上述Ib族元素‑VIa族元素的二元体系纳米粒子浆料的步骤;以及v)向上述涂敷的纳米粒子浆料供给VIa族元素并进行热处理的步骤;其中,所述VIa族元素为硫磺(S)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国能源研究技术研究所,未经韩国能源研究技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480078016.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的