[发明专利]紫外光用固体受光器件有效

专利信息
申请号: 201480077744.1 申请日: 2014-03-31
公开(公告)号: CN106133924B 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 须川成利;黑田理人 申请(专利权)人: 国立大学法人东北大学
主分类号: H01L31/10 分类号: H01L31/10;G01J1/02
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种能够以简单的构造来高精度且恰当地测量对人体有害的紫外光的照射量、还能够容易进行与周边电路的传感器的一体制作、小型/轻量且低成本、适于携带(mobile)或者穿戴(wearable)的紫外光用固体受光器件。具备第一光电二极管(1)和第二光电二极管(2)、以及被输入基于来自这些光电二极管(1、2)的输出的各个信号的差动电路,在上述光电二极管(1、2)内和设置在各光电二极管上的半导体层区域中,分别设置半导体杂质的最大浓度位置。
搜索关键词: 紫外光 固体 器件
【主权项】:
1.一种紫外光用固体受光器件,具有以硅为主要成分的半导体基体,在该半导体基体内,设置有以实际上立体不重叠的方式配置的第一光电二极管和第二光电二极管并具备被输入基于所述第一光电二极管的输出的信号和基于所述第二光电二极管的输出的信号的差动电路,该紫外光用固体受光器件的特征在于,在所述第一光电二极管中,由第一导电型的第1‑1的半导体层区域与设置在该第1‑1的半导体层区域上的同所述第一导电型相反的第二导电型的第1‑2的半导体层区域形成半导体结,在所述第1‑1的半导体层区域中,半导体杂质的浓度沿层厚方向分布且具备该分布中的第1‑1的最大浓度位置,在所述第1‑2的半导体层区域上设置有所述第一导电型的第1‑3的半导体层区域,在该第1‑3的半导体层区域中,半导体杂质的浓度沿层厚方向分布且具备该分布中的第1‑2的最大浓度位置,在所述第二光电二极管中,由第一导电型的第2‑1的半导体层区域与设置在该第2‑1的半导体层区域上的同所述第一导电型相反的第二导电型的第2‑2的半导体层区域形成半导体结,在所述第2‑1的半导体层区域中,半导体杂质的浓度沿层厚方向分布且具备该分布中的第2‑1的最大浓度位置,在所述第2‑2的半导体层区域上设置有所述第一导电型的第2‑3的半导体层区域,在该第2‑3的半导体层区域中,半导体杂质的浓度沿层厚方向分布且具备该分布中的第2‑2的最大浓度位置,所述第1‑1的最大浓度位置和所述第2‑1的最大浓度位置在从所述半导体基体的表面起的深度方向上相同或实质相同,所述第1‑2的最大浓度位置和所述第2‑2的最大浓度位置在从所述半导体基体的表面起的深度方向上不同。
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