[发明专利]在衬底表面外延生长超薄有机晶体层的方法及其应用有效
| 申请号： | 201480077741.8 | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN107109697B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 王欣然;施毅;李盷;定光雄一;滨田真弘 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B23/06 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 在衬底的晶体表面生长二维有机半导体晶体层的方法，将衬底和有机半导体源放在真空腔体中，源和衬底保持一定的间距；在源和衬底上施加温度梯度，源的温度设定为有机半导体材料刚开始蒸发时或升华时的温度，其中源温度高于衬底温度；将有机半导体材料分子在设定的源温度下蒸发或升华，并生长在衬底的晶体表面；控制生长时间，压强及沉积温度，那么就可以在衬底上沉积所需目标厚度和形态的晶体层；外延的超薄的有机半导体晶体层总共有几个分子层甚至单分子的厚度。进一步地，阐明了这种方法制备的层状结构及使用其制备逻辑门。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 表面 外延 生长 超薄 有机 晶体 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.应用外延生长在衬底的晶体表面生长二维有机半导体晶体层的方法，其特征是，包括如下步骤：1)将衬底和有机半导体源放在真空腔体中，源和衬底之间保持一定的距离；2)在源和衬底上施加温度梯度，源的温度设定为有机半导体材料刚开始蒸发和升华的温度，其中源的温度应该高于衬底的温度；3)将有机半导体材料分子在设定的源温度下蒸发或升华，并生长在衬底的晶体表面；4)控制生长时间，压强及沉积温度，那么就能在衬底上沉积具有目标厚度和形态的晶体层；其中有机半导体材料主要是具有共轭体系的有机分子组成；其中源的温度；为20。C到200。C；其中真空腔的压强是在10‑3 Torr以内；其中具有共轭体系的有机分子是二辛基苯并噻吩并苯并噻吩C8‑BTBT；其中的衬底是石墨烯或是hBN。
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