[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201480076887.0 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN106068552A | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 秋山肇;冈田章;山下钦也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体装置，该半导体装置能够抑制电气特性的评价时的局部放电的发生，从被测定物的上方进行故障解析。本发明所涉及的半导体装置(1)具有：至少大于或等于1个电极(17)；绝缘性的保护层(20)，其具有以电极(17)的一部分露出的方式设置的至少大于或等于1个开口部(21)，且该保护层形成为将开口部(21)以外的电极(17)覆盖；以及导电层(26)，其将保护层(20)及开口部(21)覆盖，在开口部(21)与电极(17)直接连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具有：至少大于或等于1个电极(17)；绝缘性的保护层(20)，其具有以所述电极(17)的一部分露出的方式设置的至少大于或等于1个开口部(21)，且所述保护层形成为将所述开口部(21)以外的所述电极(17)覆盖；以及导电层(26)，其将所述保护层(20)及所述开口部(21)覆盖，在所述开口部(21)与所述电极(17)直接连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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