[发明专利]室清洁和半导体蚀刻气体

摘要

本发明涉及可用作气体的氟烯烃组合物，所述气体用于CVD半导体制造，具体地讲用于蚀刻应用，包括通过使用活化的气体混合物从化学气相沉积室的内部清除表面沉积物的方法，以及蚀刻半导体的表面的方法。

主权项

一种蚀刻气体混合物，包含至少一种氟烯烃和氧气，其中所述氢氟烯烃选自CHF＝CF2、Z‑CF3‑CF＝CHF、Z‑CF3‑CF＝CHF、CF3‑CH＝CF2、CF3‑CF＝CH2、CF3‑CH＝CHF、CF2＝CH‑CHF、CF2＝CF‑CF3、Z‑CF3‑CH＝CH‑CF3、E‑CF3‑CH＝CHCF3、CF3‑CF2‑CH＝CHF、CF3‑CF2‑CH＝CHF、CH2＝CF‑CF2‑CF3、CHF2‑CF＝CF‑CHF2、Z‑CF3‑CF＝CF‑CF3、E‑CF3‑CF＝CF‑CF3、CF3‑CF＝CH‑CF3、CF3‑CF＝CH‑CF3、CHF＝CF‑CF2‑CF3、CHF＝CF‑CF2‑CF3、CF2＝CF‑CHF‑CF3、CF2＝CF‑CF＝CF2、CHF＝C(CF3)2、CF2＝C(CF3)(CHF2)、CF2＝CH‑CH2‑CF3、CH2＝CF‑CF2‑CHF2、CF2＝CF‑CHF‑CH2F、CF2＝CFCH2CHF2、CHF＝CF‑CHF‑CHF2、CHF2‑CF＝CH‑CHF2、CHF2‑CF＝CF‑CH2F、CHF2‑CF＝CF‑CH2F、CHF2‑CH＝CF‑CHF2、CHF2‑CH＝CF‑CHF2，以及CF3C≡CCF3、CHC1＝CH‑CF3。