[发明专利]拜耳法中减少垢的方法在审
| 申请号： | 201480076311.4 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106458621A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | D.A.塞沃;C.J.卡尔比克;F.库拉;D.史泰格;M.泰勒 | 申请（专利权）人： | 塞特工业公司 |
| 主分类号： | C01F7/06 | 分类号： | C01F7/06;C02F5/10;C23F14/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 周李军;林森 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 减少拜耳法中含铝硅酸盐垢的方法，该方法涉及在暴露于拜耳法流之前，用具有高离子强度的抑垢组合物处理拜耳法设备表面。 | ||
| 搜索关键词： | 拜耳法中 减少 方法 | ||
【主权项】：
一种减少拜耳法中含铝硅酸盐垢的方法，包括：鉴定在拜耳法的过程中经受垢形成的拜耳法设备表面；使该鉴定的拜耳法设备表面与有效形成经处理的表面的量的抑垢组合物接触，该经处理的表面比其他可比较的未经处理的表面在随后与拜耳法流接触时更能抵抗垢的形成；其中，该抑垢组合物包括含一种或多种水溶性盐的、具有至少约0.004wt/wt％或更大的总溶解盐的水溶液的液，或具有约11.0或更大的pH的液，该抑垢组合物进一步包含具有一个或多个‑Si(OR)n基的含硅化合物；其中：n是从1至3的整数；并且R是H、任选取代的C1‑C20烷基、任选取代的C6‑C12芳基、任选取代的C7‑C20芳烷基、任选取代的C2‑C20烯基、第I族金属离子、第II族金属离子、或NR14；其中每个R1独立地选自H、任选取代的C1‑C20烷基、任选取代的C6‑C12芳基、任选取代的C7‑C20芳烷基、以及任选取代的C2‑C20烯基；并且使该经处理的表面与该拜耳法流接触。
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