[发明专利]一种双向IGBT器件在审
| 申请号： | 201480075113.6 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN105981175A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张金平;单亚东;许高潮;姚鑫;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;东莞电子科技大学电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种双向IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。其元胞结构包括两个对称设置于衬底漂移区正反两面的MOS结构；衬底漂移区与MOS结构之间具有提供载流子存储功能或电场截止功能的高掺杂埋层，且衬底漂移区采用纵向全超结或半超结结构。本发明提供的双向IGBT结构具有对称的正、反向特性，并在相同的器件耐压下具有更薄的漂移区厚度，更好的载流子浓度分布和电场分布，使器件获得了更好的正向导通特性以及正向导通特性与关断损耗特性的折中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 igbt 器件 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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