[发明专利]具有扩展触头的碳纳米管晶体管在审
| 申请号： | 201480074465.X | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105940497A | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 汉述仁;W·汉熙;J·B·汉农 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包含沿着第一方向延伸以界定长度且沿着与第一方向垂直的第二方向延伸以界定高度的基板。该基板包含电介质层以及形成于电介质层上的至少一个栅极叠层。源极触头被形成于栅极叠层的第一侧的相邻处，并且漏极触头被形成于栅极叠层的相对第二侧的相邻处。碳纳米管形成于源极触头和漏极触头上。纳米管的第一部分形成源极。第二部分形成漏极。第三部分被置于源极和漏极之间，以界定沿第一方向延伸的栅极沟道。源极和漏极沿第二方向延伸，并具有比栅极沟道长的长度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩展 纳米 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含：沿着第一方向延伸以界定长度且沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸以界定高度的基板，所述基板包含电介质层以及形成于所述电介质层上的至少一个栅极叠层；形成于所述栅极叠层的第一侧的相邻处的源极触头以及形成于所述栅极叠层的相对第二侧的相邻处的漏极触头；以及形成于所述源极触头和所述漏极触头上的碳纳米管，所述碳纳米管包含与所述源极触头接触以形成源极的第一部分、与所述漏极触头接触以形成漏极的第二部分以及被置于所述第一部分与第二部分之间以界定沿着所述第一方向延伸的栅极沟道的第三部分，所述源极和所述漏极沿着所述第二方向延伸并且具有比所述栅极沟道的栅极长度长的长度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480074465.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
