[发明专利]制备金属陶瓷基材的方法有效

申请号：	201480072922.1	申请日：	2014-11-28
公开（公告）号：	CN105900222B	公开（公告）日：	2018-11-02
发明（设计）人：	A·迈尔;F·希尔斯泰特尔	申请（专利权）人：	罗杰斯德国有限公司
主分类号：	H01L21/48	分类号：	H01L21/48;C04B35/645;C04B37/02;H01L23/373;H05K3/02;H05K3/38
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038	代理人：	陈晰
地址：	德国埃***	国省代码：	德国;DE
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摘要：	本发明涉及制备金属陶瓷基材(1)的方法，所述金属陶瓷基材(1)包括第一和第二金属敷层(3、4)和至少一个容纳在第一和第二金属敷层(3、4)之间的陶瓷层(2)。有利地，第一和第二金属层(5、6)和陶瓷层(2)彼此上下堆叠，更准确地说使得第一和第二金属层(5、6)的自由边缘部段(5a、6a)分别在边缘侧突出超过陶瓷层(2)，并且第一和第二金属层(5、6)在突出的自由边缘部段(5a、6a)的区域内彼此相对变形并且直接相互接合，从而形成包围容器内腔(8)的气密性封闭的金属容器(7)用于容纳陶瓷层(2)。然后形成金属容器(7)的金属层(5、6)与容纳在容器内部的陶瓷层(2)在处理室中在500和2000bar之间的气压和300℃至金属层(5、6)的熔点之间的工艺温度下以热等静压的方式相互挤压从而产生金属层(5、6)的至少一者和陶瓷层(2)的优选的平面接合，最后至少除去金属层(5、6)的突出的相互接合的自由边缘部段(5a、6a)从而形成第一和第二金属敷层(3、4)。
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【主权项】：

1.制备金属陶瓷基材(1)的方法，所述金属陶瓷基材(1)包括第一和第二金属敷层(3、4)和至少一个容纳在第一和第二金属敷层(3、4)之间的陶瓷层(2)，其特征在于，第一和第二金属层(5、6)和陶瓷层(2)彼此上下堆叠，更准确地说使得第一和第二金属层(5、6)的自由边缘部段(5a、6a)分别在边缘侧突出超过陶瓷层(2)，第一和第二金属层(5、6)在突出的自由边缘部段(5a、6a)的区域内彼此相对变形并且直接相互接合，从而形成包围容器内腔(8)的气密性封闭的金属容器(7)用于容纳陶瓷层(2)，形成金属容器(7)的金属层(5、6)与容纳在容器内部的陶瓷层(2)在处理室中在500和2000bar之间的气压和300℃至金属层(5、6)的熔点之间的工艺温度下以热等静压的方式相互挤压从而产生金属层(5、6)的至少一者和陶瓷层(2)的平面接合，其中至少除去金属层(5、6)的突出的相互接合的自由边缘部段(5a、6a)从而形成第一和第二金属敷层(3、4)。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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