[发明专利]用于CAD反应器的改善的辐射屏障有效
| 申请号： | 201480071670.0 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105900213B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | J·C·伽姆;B·E·克拉克;P·E·甘农;M·麦克法兰;S·曼德普迪 | 申请（专利权）人： | GTAT公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 严政;陈小莲 |
| 地址： | 美国新罕*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种反应室，包括内部涂覆有金属氮化物的外壳的罩壳，所述金属氮化物提供大于90％的内部红外线的平均反射率。所述金属氮化物可以为氮化钛、氮化锆、氮化铪或其它金属的氮化物，并且可以为0.1微米到10微米厚度，优选为4微米到5微米厚度。所述层不会失去光泽，并且能够承受达到至少250℃，优选达到300℃的反应室温度。它适用于沉积过程，例如PVD、CVD、热喷涂或阴极弧，其中所述罩壳本身为金属氮化物沉积罩壳。沉积的均匀性能够由旋转沉积源以360/d的总重复次数通过T角度并返回至T±d角度而改善。反应器能够为将多晶硅沉积在加热的丝线上的CVD反应器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cad 反应器 改善 辐射 屏障 | ||
【主权项】：
一种化学气相沉积反应器，包括由基板和可连接至所述基板的罩壳形成的反应室，其中，所述罩壳具有含有金属氮化物层的内表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
