[发明专利]半导体基板以及半导体基板的制造方法在审
| 申请号： | 201480071089.9 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105917443A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 今冈功;内田英次;须田淳 | 申请（专利权）人： | 株式会社丰田自动织机;须田淳 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;青炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体基板及其制造方法。本发明提供一种多种半导体层露出于表面的半导体基板。半导体基板具备：支承基板、被配置于支承基板的表面的单晶的第1半导体层、被配置于第1半导体层的表面的一部分的单晶的第2半导体层、以及被配置于第1半导体层的未配置有第2半导体层的表面的单晶的第3半导体层。第3半导体层的晶体取向与第1半导体层一致，并由与第1半导体层相同材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体基板，其特征在于，具备：支承基板；单晶的第1半导体层，其被配置于所述支承基板的表面；单晶的第2半导体层，其被配置于所述第1半导体层的表面的一部分；以及单晶的第3半导体层，其被配置于所述第1半导体层的未配置有所述第2半导体层的表面，所述第3半导体层的晶体取向与所述第1半导体层的晶体取向一致，并且所述第3半导体层由与所述第1半导体层相同材料形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
