[发明专利]半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201480070975.X 申请日: 2014-12-22
公开(公告)号: CN105849880A 公开(公告)日: 2016-08-10
发明(设计)人: 志贺豪士;盛田浩介;石坂刚;饭野智绘;石井淳 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 葛凡
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供可制造空隙少的半导体装置的半导体装置的制造方法。一种半导体装置的制造方法,其包括如下工序:层叠体具备芯片安装基板、在芯片安装基板上配置的热固性树脂片、以及具备与热固性树脂片接触的中央部和在中央部的周边配置的周边部的膜,将层叠体的周边部按压于与芯片安装基板接触的载台,由此形成具备载台和膜的密闭容器的工序;和使密闭容器的外部的压力高于密闭容器的内部的压力,由此利用热固性树脂片覆盖半导体芯片,并且在基板与半导体芯片的间隙中填充热固性树脂片的工序。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,其包括如下工序:层叠体具备芯片安装基板、在所述芯片安装基板上配置的热固性树脂片、以及具备与所述热固性树脂片接触的中央部和在所述中央部的周边配置的周边部的膜,所述芯片安装基板具备基板和倒装芯片安装于所述基板上的半导体芯片,将所述层叠体的所述周边部按压于与所述基板接触的台座,由此形成具备所述台座和所述膜的密闭容器的工序;和使所述密闭容器的外部的压力高于所述密闭容器的内部的压力,由此利用所述热固性树脂片覆盖所述半导体芯片,并且在所述基板与所述半导体芯片的间隙中填充所述热固性树脂片的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480070975.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top