[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置。在具备双极晶体管BT的半导体装置中，柱状凸点(20)和与发射极层(5)电连接的第二布线(14)接触的第三开口(16)从与发射极层(5)的正上对应的位置向发射极层(5)的长边方向偏移，第三开口(16)相对于发射极层(5)，被配置成发射极层(5)的长边方向的端部与第三开口(16)的开口端几乎一致。

主权项

1.一种半导体装置，是具备异质结型的双极晶体管的半导体装置，上述双极晶体管具备：集电极层；基极层，形成在上述集电极层上；发射极层，形成在上述基极层上；发射极布线，与上述发射极层电连接；钝化膜，被形成为覆盖上述发射极布线，且具有使上述发射极布线露出的开口；以及凸点，在上述钝化膜上被形成为填埋上述开口，并经由上述发射极布线而与上述发射极层电连接，上述开口相对于上述发射极层配置在第一配置和第二配置之间的位置，上述第一配置为俯视时上述发射极层与上述开口内的区域重合的面积的相对于上述发射极层的面积的重合比例小于1/2，上述第二配置为相对于上述第一配置向远离上述发射极层的方向偏移，且上述发射极层的端部位于上述凸点与上述钝化膜在俯视时重合的区域。