[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

摘要

根据本发明的一实施例，基板处理装置包括：下部腔，上部开放；上部腔，开闭上述下部腔的上部，与上述下部腔共同形成对基板实施工序的内部空间；喷头，设置在上述上部腔的下部并朝向上述内部空间供给反应气体，在与上述上部腔之间形成缓冲空间；划分部件，设置在上述缓冲空间内而将上述缓冲空间划分为多个扩散区域；及多个气体供给口，形成在上述上部腔而朝向各上述扩散区域供给上述反应气体。

主权项

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：下部腔，上部开放；上部腔，开闭上述下部腔的上部，与上述下部腔共同形成对基板实施工序的内部空间；基座，设置在上述内部空间，且在该基座上部放置上述基板；喷头，设置在上述上部腔的下部且具备多个喷射孔，在该喷头与上述上部腔之间形成缓冲空间，从而被供给到上述缓冲空间的反应气体通过所述多个喷射孔供给到上述内部空间；划分部件，设置在上述缓冲空间内，并从上述缓冲空间的底面分开距离配置且将上述缓冲空间划分为多个扩散区域，所述多个扩散区域包括下部缓冲空间和上部缓冲空间，该下部缓冲空间与上述多个喷射孔连通且位于上述划分部件的下部，该下部缓冲空间的直径与上述基座的直径一致，上述上部缓冲空间位于上述下部缓冲空间的上方，该上部缓冲空间由上述划分部件划分为多个区域；多个气体供给口，形成在上述上部腔，用于朝向上述上部缓冲空间的各上述区域供给上述反应气体；多个气体供给线路，被连接在各上述气体供给口来供给上述反应气体；多个流量调节器，开闭各上述气体供给线路；及控制器，被连接在各上述流量调节器，对通过各气体供给线路的上述反应气体的供给量进行调节，其中，上述下部缓冲空间与上述上部缓冲空间连通，从而被供给到上述上部缓冲空间内的上述多个区域中的上述反应气体移动到上述下部缓冲空间内，且上述下部缓冲空间构成为来自上述上部缓冲空间的上述多个区域的上述反应气体在上述下部缓冲空间内相互混合，所述多个区域包括一个中央区域及围绕所述中央区域的多个边缘区域，所述划分部件将所述边缘区域从所述中央区域切断，以防止所述反应气体从所述边缘区域移动到所述中央区域或从所述中央区域移动到所述边缘区域，所述多个边缘区域中的每一个边缘区域是扇形，所述扇形的面对所述中央区域的内弧长度短于与所述内弧相对的外弧长度，所述多个气体供给口的每一个气体供给口直接连接到所述上部缓冲空间的相互切断的多个区域中的对应的一个区域。