[发明专利]制造超导带材用的离子植入在审
| 申请号： | 201480070509.1 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN105849924A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 康妮·P·王;保罗·墨菲;保罗·沙利文;卢多维克·葛特;法兰克·辛克莱;摩根·艾文斯 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L39/02 | 分类号： | H01L39/02;H01L39/24 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成超导体带材的方法包含：将超导体层沉积在基板上；在所述超导体层的表面上形成包括第一金属的金属层；以及将合金物质植入到所述金属层中，其中所述第一金属在植入所述合金物质之后形成金属合金。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 超导 带材用 离子 植入 | ||
【主权项】：
一种形成超导体带材的方法，包括：将超导体层沉积在基板上；在所述超导体层的表面上形成包括第一金属的金属层；以及将合金物质植入到所述金属层中，其中所述第一金属在所述合金物质的植入之后形成金属合金。
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