[发明专利]内置旁路二极管有效
| 申请号: | 201480069896.7 | 申请日: | 2014-12-12 |
| 公开(公告)号: | CN105830229B | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
| 发明(设计)人: | 大卫·D·史密斯;林承笵 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
| 主分类号: | H01L31/044 | 分类号: | H01L31/044 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;井杰 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明提供了一种旁路二极管,所述旁路二极管可包括设置在太阳能电池的基板上方的第一导电类型的第一导电区域以及设置在所述第一导电区域上方的第二导电类型的第二导电区域。所述旁路二极管可包括直接设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的薄介电区域。 | ||
| 搜索关键词: | 内置 旁路 二极管 | ||
【主权项】:
1.一种制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法,所述方法包括:在所述太阳能电池的基板上的第一介电层上形成第一导电类型的第一导电区域;在所述第一导电区域上形成第二介电层;移除所述第二介电层的一部分;在所述第一导电区域的由所述第二介电层的所述移除部分暴露的部分上方形成第二导电类型的第二导电区域;移除所述第二导电区域的一部分以将所述第二导电区域分离成所述第二导电区域的第一部分和第二部分;以及将所述第二导电类型的金属耦接至所述第一导电区域并且将所述第一导电类型的金属耦接至所述第二导电区域的所述第一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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