[发明专利]半导体激光二极管，用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管装置在审
| 申请号： | 201480069331.9 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105830291A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 塞巴斯蒂安·特格尔;亚历山大·巴赫曼 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/042;H01S5/022;H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出一种半导体激光二极管，其具有：半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有竖直地上下重叠地施加的半导体层，所述半导体层具有有源层(11)，所述有源层在运行中经由辐射耦合输出面放射激光辐射，其中辐射耦合输出面由半导体层序列(1)的侧面形成；和横向地彼此相邻地在半导体层序列(1)的主表面(12)上的隔热层(2)和金属的接触层(5)，其中隔热层(2)由电绝缘的多孔材料(9)形成。由此，在运行中产生的热量经由p型电极(5)引向热沉(20)并且避免构成二维的温度梯度。因此，反作用于在边缘发射器中的热透镜。此外，提出一种用于制造半导体激光二极管和半导体激光二极管装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 用于 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体激光二极管，其具有：半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有竖直地上下重叠地施加的半导体层，所述半导体层具有有源层(11)，所述有源层在运行中经由辐射耦合输出面放射激光辐射，其中所述辐射耦合输出面由所述半导体层序列(1)的侧面形成；和横向地彼此相邻地在所述半导体层序列(1)的主表面(12)上的隔热层(2)和金属的接触层(5)，其中所述隔热层(2)由电绝缘的多孔的材料(9)形成。
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