[发明专利]发光元件用复合基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201480069022.1 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105830237B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 渡边守道;吉川润;七泷努;今井克宏;杉山智彦;吉野隆史;武内幸久;佐藤圭 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;C30B29/38;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光元件用复合基板，所述发光元件用复合基板适于以低成本制造大面积的发光元件。该发光元件用复合基板包含：由取向多晶氧化铝烧结体构成的基板和形成在基板上的发光功能层，上述发光功能层具有二层以上在大致法线方向具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 复合 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件用复合基板，所述发光元件用复合基板包括取向多晶氧化铝烧结体基板和发光功能层，所述取向多晶氧化铝烧结体基板由取向多晶氧化铝烧结体构成，所述发光功能层形成在所述取向多晶氧化铝烧结体基板上，并且具有二层以上在基板的大致法线方向具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层，构成所述发光功能层的表面的所述半导体单晶粒子不夹隔晶界地连通到所述发光功能层的所述取向多晶氧化铝烧结体基板侧的表面，在构成所述发光功能层的层中相比实际上发光的界面或层位于所述取向多晶氧化铝烧结体基板侧的层是大粒径化层，构成该大粒径化层的半导体单晶粒子的截面平均直径从所述取向多晶氧化铝烧结体基板侧向与所述取向多晶氧化铝烧结体基板相反的一侧增大，所述大粒径化层的DT/DB比大于1.0，所述DT/DB比是构成所述大粒径化层的与所述取向多晶氧化铝烧结体基板相反的一侧表面的半导体单晶粒子在该表面的截面平均直径DT相对于构成所述取向多晶氧化铝烧结体基板侧的表面的半导体单晶粒子在该表面的截面平均直径DB的比值，或者，所述发光元件用复合基板包括所述取向多晶氧化铝烧结体基板和所述发光功能层，并在所述发光功能层和所述取向多晶氧化铝烧结体基板之间包括缓冲层，构成所述发光功能层的表面的所述半导体单晶粒子不夹隔晶界地连通到所述发光功能层的所述取向多晶氧化铝烧结体基板侧的表面及/或所述缓冲层的所述取向多晶氧化铝烧结体基板侧的表面，选自所述缓冲层及在构成所述发光功能层的层中相比实际上发光的界面或层位于所述取向多晶氧化铝烧结体基板侧的层中的至少1层是大粒径化层，构成该大粒径化层的半导体单晶粒子的截面平均直径从所述取向多晶氧化铝烧结体基板侧向与所述取向多晶氧化铝烧结体基板相反的一侧增大，所述大粒径化层的DT/DB比大于1.0，所述DT/DB比是构成所述大粒径化层的与所述取向多晶氧化铝烧结体基板相反的一侧表面的半导体单晶粒子在该表面的截面平均直径DT相对于构成所述取向多晶氧化铝烧结体基板侧的表面的半导体单晶粒子在该表面的截面平均直径DB的比值。
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