[发明专利]半导体器件及其制造方法以及脂肪族聚碳酸酯有效
| 申请号： | 201480067483.5 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105874575B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 井上聪;下田达也;藤本信贵;西冈圣司;辛岛修一 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;住友精化株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;C08G64/02;H01L21/28;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 龚敏;王刚 |
| 地址： | 日本国石川*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种薄膜晶体管及其制造方法，所述薄膜晶体管不必使用在真空下或低压下的各工艺且不必使用昂贵的设备，而对于提供一种能够简便地实现自对准式地形成源极/漏极区域。本发明的一种半导体器件的制造方法，包括以下的步骤：脂肪族聚碳酸酯层形成步骤，其是将隔着栅绝缘层30而被配置在本半导体层20上的栅电极层40、及半导体层20覆盖而形成脂肪族聚碳酸酯层50，此脂肪族聚碳酸酯层50是具有使半导体层20成为n型或p型的半导体层的掺杂剂；及加热步骤，其是在将其掺杂剂导入半导体层20中且于将脂肪族聚碳酸酯层50分解的温度下进行加热。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 以及 脂肪 聚碳酸酯 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其包含以下的步骤：脂肪族聚碳酸酯层形成步骤，其形成脂肪族聚碳酸酯层，所述脂肪族聚碳酸酯层覆盖隔着栅绝缘层而被配置在半导体层上的栅电极层、及所述半导体层，该脂肪族聚碳酸酯层具有使所述半导体层成为n型或p型的半导体层的掺杂剂；及加热步骤，其是在将所述掺杂剂导入所述半导体层中且于将脂肪族聚碳酸酯层分解的温度下进行加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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