[发明专利]三氯氢硅制造工艺有效
| 申请号： | 201480067103.8 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105980305B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 萨米特·德拉铂·汉迪;布鲁斯·黑兹尔坦 | 申请（专利权）人： | 萨密特工艺设计有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 徐乐乐 |
| 地址： | 美国蒙*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明同改进的多晶硅工厂三氯氢硅生产工艺有关，将氢气，四氯化硅和金属硅高温流化床合成三氯氢硅工艺同高温热氢化炉将四氯化硅加氢成三氯氢硅和氯化氢相结合。 | ||
| 搜索关键词： | 三氯氢硅 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种合成氢化卤代硅烷的方法，其特征在于，包括：a.将四卤化硅和氢气进料在单一气相反应器中反应，并排放含至少一种氢化卤代硅烷和氢卤酸和未反应进料的气相物料；以及b.冷凝部分气相物料，并且将至少部分剩余的气相物料通入流化床，在所述流化床中，硅同氢卤酸反应合成所述至少一种氢化卤代硅烷；其中所述氢卤酸在通入流化床之前未与气相副产物中的氢气分离。
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