[发明专利]单晶硅基板的缺陷浓度评价方法有效
| 申请号： | 201480066875.X | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105814676B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 镰田洋之;星亮二 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N27/00;G01N27/04 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅基板的缺陷浓度评价方法，其是对通过粒子束流的照射在单晶硅基板中形成的缺陷浓度进行评价的方法，在对所述单晶硅基板的电阻率进行测定后，对该单晶硅基板照射所述粒子束流，在该照射后，再次对所述单晶硅基板的电阻率进行测定，根据所述粒子束流的照射前后的电阻率测定结果，分别求出照射前后的单晶硅基板中的载流子浓度，并计算出载流子浓度的变化率，根据该载流子浓度的变化率，对通过所述粒子束流的照射形成在所述单晶硅基板中，并由硅原子空位构成的VV缺陷的浓度进行评价。由此，提供一种能够对通过粒子束流的照射形成在单晶硅基板中的VV缺陷的浓度进行简单评价的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 缺陷 浓度 评价 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅基板的缺陷浓度评价方法，其是对通过粒子束流的照射形成在单晶硅基板中的缺陷浓度进行评价的方法，其特征在于，在对所述单晶硅基板的电阻率进行测定后，向该单晶硅基板照射所述粒子束流，在该照射后，再次测定所述单晶硅基板的电阻率；根据所述粒子束流的照射前后的电阻率测定结果，分别求出照射前后的单晶硅基板中的载流子浓度并计算出载流子浓度的变化率；根据该载流子浓度的变化率，对通过所述粒子束流的照射形成在所述单晶硅基板中由弗伦克尔对中的硅原子空位与其他硅原子空位构成的VV缺陷的浓度进行评价。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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