[发明专利]显示装置有效

专利信息
申请号: 201480066001.4 申请日: 2014-11-24
公开(公告)号: CN105874524B 公开(公告)日: 2019-05-28
发明(设计)人: 山崎舜平;冈崎健一;片山雅博 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;G02F1/1345;G02F1/1368;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/363;H01L29/786;H01L51/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 叶晓勇;姜甜
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供一种在一个衬底上形成有多种电路且设置有对应于多种电路的特性的多种晶体管的显示装置。该显示装置在一个衬底(11)上包括像素部和驱动该像素部的驱动电路。像素部包括具有第一氧化物半导体膜(84)的第一晶体管(10m)。驱动电路包括具有第二氧化物半导体膜(82)的第二晶体管(10k)。第一氧化物半导体膜(84)和第二氧化物半导体膜(82)形成在一个绝缘表面上。第一晶体管(10m)的沟道长度大于第二晶体管(10k)的沟道长度。第一晶体管(10m)的沟道长度大于或等于2.5μm。
搜索关键词: 显示装置
【主权项】:
1.一种显示装置,包括:在衬底上的像素部;以及在所述衬底上的驱动电路,该驱动电路配置成驱动所述像素部,其中,所述像素部包括具有第一氧化物半导体膜的第一晶体管,其中,所述驱动电路包括具有第二氧化物半导体膜和第三氧化物半导体膜的第二晶体管,其中,所述第一氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体膜具有不同的组成并且在绝缘表面上,其中,所述第一晶体管的沟道长度大于所述第二晶体管的沟道长度,并且其中,所述第三氧化物半导体膜与所述第二氧化物半导体膜的侧面接触。
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