[发明专利]表面改性的颗粒金属氧化物

摘要

本发明解决的问题是提供通过尽可能高的增稠水平表征的金属氧化物，因此能够特别成功地用作流变学控制目的的添加剂。这种问题通过提供用包含1～24个C原子的基团的通式RSiO3/2的T基团改性并通过所述T基团低程度交联表征的金属氧化物来解决，因为相对于(T1+T2+T3)的总和，所述改性的金属氧化物的表面上的T1基团的比例为至少15％或T1基团的比例大于所述改性的金属氧化物的表面上的T3基团的比例，其中可以用溶剂萃取的所述改性金属氧化物的比例至多为按重量计15％。还公开了用于表面改性具有高比例的T1基团的金属氧化物的方法，其中首先使金属氧化物与通式RSiZ3/R2SiZ2和R3SiZ的硅烷强烈混合，其中Z是反应基团，然后使所述金属氧化物与所述硅烷在气相法中反应随后清除过量硅烷和副产物，其中0.5至7μmol硅烷/m2有待改性的金属氧化物的比表面积用于改性并且其中，在所述金属氧化物与所述硅烷的反应期间，加入辅助物质的量小于3μmol/m2有待改性的金属氧化物的表面积。根据本发明表面改性的所提供的颗粒金属氧化物能够用于控制液体介质的流变学性质。

主权项

1.一种用选自具有通式RSi(OX)(OX′)O1/2，即T1、R′Si(OX″)(O1/2)2，即T2和R″Si(O1/2)3，即T3的基团中的一种或多种的基团改性的二氧化硅，其中R、R′、R″是具有1～24个C原子的脂族或芳族烃基团以及X、X′和X″是氢或具有1～24个C原子的脂族或芳族烃基团以及R、R′、R″、X、X′和X″可以是相同的或不同的，并且基于T1+T2+T3的总和，其中所述改性的二氧化硅的表面上的T1基团的分数为至少15％，或所述改性的二氧化硅的表面上的T1基团的分数大于所述改性的二氧化硅的表面上的T3基团的分数，这可以通过NMR光谱以29Si CP/MAS模式确定，并且其中能够用溶剂萃取的改性的二氧化硅的分数不超过15wt％。